Número de Producto del Fabricante:
IST019N08NM5AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IST019N08NM5AUMA1-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 32A (Ta), 290A (Tc) 3.8W (Ta), 313W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-1
Inventario:
1261 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973904
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ENVIAR
IST019N08NM5AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Ta), 290A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 148µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6600 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-5-1
Paquete / Caja
5-PowerSFN
Número de producto base
IST019N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
448-IST019N08NM5AUMA1TR
448-IST019N08NM5AUMA1CT
448-IST019N08NM5AUMA1DKR
SP005405478
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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