Número de Producto del Fabricante:

QJD1210010

Product Overview

Fabricante:

Powerex Inc.

Número de pieza:

QJD1210010-DG

Descripción:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Descripción Detallada:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12842237

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

QJD1210010 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

Powerex

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Discontinued at Digi-Key

Tecnología

Silicon Carbide (SiC)

Configuración

2 N-Channel (Dual)

Función FET

-

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

100A (Tc)

rds activados (máx.) @ id, vgs

25mOhm @ 100A, 20V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 10mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

500nC @ 20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

10200pF @ 800V

Potencia - Máx.

1080W

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Caja

Module

Paquete de dispositivos del proveedor

Module

Número de producto base

QJD1210

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

onsemi

NVMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

onsemi

MCH6663-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH

onsemi

NTMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

onsemi

NTGD3133PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP