Número de Producto del Fabricante:
NTMFD5C650NLT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMFD5C650NLT1G-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventario:
12842321
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ENVIAR
NTMFD5C650NLT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta), 111A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 98µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2546pF @ 25V
Potencia - Máx.
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Número de producto base
NTMFD5
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NTMFD5C650NLT1GTR
488-NTMFD5C650NLT1GDKR
488-NTMFD5C650NLT1GCT
NTMFD5C650NLT1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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