Número de Producto del Fabricante:
PJMF210N65EC_T0_00601
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
Número de pieza:
PJMF210N65EC_T0_00601-DG
Descripción:
650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 32W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventario:
1979 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988032
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ENVIAR
PJMF210N65EC_T0_00601 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
210mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1412 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB-F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
PJMF210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
3757-PJMF210N65EC_T0_00601
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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