Número de Producto del Fabricante:
IPP016N06NF2SAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP016N06NF2SAKMA1-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 194A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05
Inventario:
506 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988061
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP016N06NF2SAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
StrongIRFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
36A (Ta), 194A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.3V @ 186µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10500 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-U05
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
448-IPP016N06NF2SAKMA1
SP005742470
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIHK125N60EF-T1GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
IRFP4568PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
G33N03D52
MOSFET N+N-CH 30V 33A DFN5*6-8L