NVMFS2D3P04M8LT1G
Número de Producto del Fabricante:

NVMFS2D3P04M8LT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVMFS2D3P04M8LT1G-DG

Descripción:

MV8 P INITIAL PROGRAM
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventario:

95 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974262
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NVMFS2D3P04M8LT1G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 2.7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5985 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NVMFS2D3P04M8LT1G
Hoja de datos HTML
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
NVMFS2D3P04M8LT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
95
NÚMERO DE PIEZA
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
PRECIO UNITARIO
1.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
RS1G201ATTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
7266
NÚMERO DE PIEZA
RS1G201ATTB1-DG
PRECIO UNITARIO
1.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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