NTP055N65S3H
Número de Producto del Fabricante:

NTP055N65S3H

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTP055N65S3H-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

792 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973781
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NTP055N65S3H Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 4.8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4305 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
305W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
NTP055

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NTP055N65S3H
Hoja de datos HTML
NTP055N65S3H-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NTP055N65S3H

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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