PJF18N20_T0_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJF18N20_T0_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJF18N20_T0_00001-DG

Descripción:

200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventario:

1896 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973798
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PJF18N20_T0_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1017 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
PJF18N20

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
3757-PJF18N20_T0_00001

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
panjit

PJC7439_R1_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD25N04-AU_L2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SUD09P10-195-BE3

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

SQJA60EP-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8