Número de Producto del Fabricante:
NTH4L045N065SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTH4L045N065SC1-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
484 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964310
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ENVIAR
NTH4L045N065SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1870 pF @ 325 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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