Número de Producto del Fabricante:
SCTWA60N120G2-4
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCTWA60N120G2-4-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
345 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964340
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ENVIAR
SCTWA60N120G2-4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1969 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
388W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-SCTWA60N120G2-4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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