Número de Producto del Fabricante:
NDD60N550U1-35G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NDD60N550U1-35G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12855514
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ENVIAR
NDD60N550U1-35G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NDD60
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
2156-NDD60N550U1-35G-ON
ONSONSNDD60N550U1-35G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STU12N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STU12N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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