Número de Producto del Fabricante:
MMSF3P02HDR2SG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
MMSF3P02HDR2SG-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12855521
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
MMSF3P02HDR2SG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
MMSF3P
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2156-MMSF3P02HDR2SG
ONSONSMMSF3P02HDR2SG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SK3408-T1B-AT
MOSFET N-CH 43V 1A SC96-3
RJL6012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
NVMFS5C604NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
