Número de Producto del Fabricante:
FQA85N06
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQA85N06-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12836597
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ENVIAR
FQA85N06 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4120 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA8
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP3306PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
970
NÚMERO DE PIEZA
IRFP3306PBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRFP3206PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
12712
NÚMERO DE PIEZA
IRFP3206PBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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