Número de Producto del Fabricante:
FQB8P10TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB8P10TM-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12836626
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ENVIAR
FQB8P10TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
530mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB8P10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FQB8P10TMTR
FQB8P10TMDKR
FQB8P10TM-DG
2156-FQB8P10TM-OS
FQB8P10TMCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF5210STRLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7933
NÚMERO DE PIEZA
IRF5210STRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPB19DP10NMATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1986
NÚMERO DE PIEZA
IPB19DP10NMATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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