PSMN2R8-40BS,118
Número de Producto del Fabricante:

PSMN2R8-40BS,118

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PSMN2R8-40BS,118-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

6867 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947347
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PSMN2R8-40BS,118 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4491 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
211W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
333
Otros nombres
2156-PSMN2R8-40BS,118
NEXNEXPSMN2R8-40BS,118

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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