Número de Producto del Fabricante:
FDS6692A
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDS6692A-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
1731 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947363
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ENVIAR
FDS6692A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1610 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.47W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
582
Otros nombres
2156-FDS6692A
FAIFSCFDS6692A
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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