Número de Producto del Fabricante:
PMV65UN,215
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMV65UN,215-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2.2A (Ta) 310mW (Ta), 2.17W (Tc) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Inventario:
12812337
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ENVIAR
PMV65UN,215 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
76mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
183 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23 (TO-236AB)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
PMV6
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
568-10837-1
PMV65UN,215-DG
NEXNXPPMV65UN,215
2156-PMV65UN,215-DG
568-10837-2
934066505215
568-10837-6
2156-PMV65UN215-NXTR-DG
2156-PMV65UN215
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NVR4501NT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
5814
NÚMERO DE PIEZA
NVR4501NT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
BSS806NEH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
71218
NÚMERO DE PIEZA
BSS806NEH6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.06
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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