Número de Producto del Fabricante:
PHM12NQ20T,518
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PHM12NQ20T,518-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 14.4A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5x6)
Inventario:
12812362
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PHM12NQ20T,518 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1230 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HVSON (5x6)
Paquete / Caja
8-VDFN Exposed Pad
Número de producto base
PHM12
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
PHM12NQ20T /T3
934057302518
PHM12NQ20T /T3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC12DN20NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
11979
NÚMERO DE PIEZA
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
PMT29EN,115
MOSFET N-CH 30V 6A SOT223
SI4410DY,518
MOSFET N-CH 30V 8SO
PHB222NQ04LT,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
