PSMN7R8-120ESQ
Número de Producto del Fabricante:

PSMN7R8-120ESQ

Product Overview

Fabricante:

Nexperia USA Inc.

Número de pieza:

PSMN7R8-120ESQ-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

12829270
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PSMN7R8-120ESQ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9473 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
349W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
PSMN7R8

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
1727-1509
934067449127
568-10989-5
2156-PSMN7R8-120ESQ-1727
568-10989-5-DG
PSMN7R8-120ESQ-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IPI076N12N3GAKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
498
NÚMERO DE PIEZA
IPI076N12N3GAKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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