Número de Producto del Fabricante:
IPI076N12N3GAKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI076N12N3GAKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
498 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803434
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ENVIAR
IPI076N12N3GAKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6640 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI076
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI076N12N3 G-DG
2156-IPI076N12N3GAKSA1-448
SP000652738
IPI076N12N3 G
IPI076N12N3G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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