Número de Producto del Fabricante:
GAN7R0-150LBEZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
GAN7R0-150LBEZ-DG
Descripción:
150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 28A 28W Surface Mount 3-FCLGA (3.2x2.2)
Inventario:
1713 Pcs Nuevos Originales En Stock
13005577
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ENVIAR
GAN7R0-150LBEZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7mOhm @ 10A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
865 pF @ 85 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28W
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
3-FCLGA (3.2x2.2)
Paquete / Caja
3-VLGA
Número de producto base
GAN7R0
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1727-GAN7R0-150LBEZTR
5202-GAN7R0-150LBEZTR
934665900328
1727-GAN7R0-150LBEZCT
1727-GAN7R0-150LBEZDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificación DIGI
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