Número de Producto del Fabricante:
IRFP4768PBFXKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFP4768PBFXKMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 93A (Tc) 520W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-901
Inventario:
400 Pcs Nuevos Originales En Stock
13005586
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ENVIAR
IRFP4768PBFXKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
93A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10880 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3-901
Paquete / Caja
TO-247-3
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
SP005738314
448-IRFP4768PBFXKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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IRF8721TRPBFXTMA1
TRENCH <= 40V
