JAN2N6796
Número de Producto del Fabricante:

JAN2N6796

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

JAN2N6796-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39

Inventario:

12922133
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

JAN2N6796 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
Military, MIL-PRF-19500/557
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
195mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28.51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-39
Paquete / Caja
TO-205AF Metal Can

Información Adicional

Paquete Estándar
1
Otros nombres
JAN2N6796-MIL
150-JAN2N6796
JAN2N6796-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
microsemi

JANTXV2N7236U

MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB

infineon-technologies

IRFL4310PBF

MOSFET N-CH 100V SOT223

onsemi

HUF75344A3

MOSFET N-CH 55V 75A TO3P

onsemi

FQP7N60

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3