Número de Producto del Fabricante:
JANTXV2N7236U
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
JANTXV2N7236U-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 18A (Tc) 4W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-267AB
Inventario:
12922157
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
JANTXV2N7236U Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
220mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Military
Calificación
MIL-PRF-19500/595
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-267AB
Paquete / Caja
TO-267AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
JANTXV2N7236U-DG
150-JANTXV2N7236U
JANTXV2N7236U-MIL
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFL4310PBF
MOSFET N-CH 100V SOT223
HUF75344A3
MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
FQP7N60
MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
