Número de Producto del Fabricante:
MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
MSCSM120DDUM31CTBL2NG-DG
Descripción:
SIC 4N-CH 1200V 79A
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 79A 310W Chassis Mount
Inventario:
13000849
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
MSCSM120DDUM31CTBL2NG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
4 N-Channel, Common Source
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
79A
rds activados (máx.) @ id, vgs
31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
232nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3020pF @ 1000V
Potencia - Máx.
310W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Número de producto base
MSCSM120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMT4015LDV-13
MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
DMTH8030LPDW-13
MOSFET 2N-CH 80V 28.5A POWERDI50
GT090N06D52
MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
