Número de Producto del Fabricante:
GT090N06D52
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT090N06D52-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 40A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount 8-PowerTDFN
Inventario:
4289 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000983
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ENVIAR
GT090N06D52 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1011pF @ 30V
Potencia - Máx.
62W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-DFN (4.9x5.75)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PowerTDFN
Número de producto base
GT090N06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3141-GT090N06D52CT
3141-GT090N06D52TR
4822-GT090N06D52TR
3141-GT090N06D52DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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