IXTY1R4N120P

Número de Producto del Fabricante:

IXTY1R4N120P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTY1R4N120P-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252

Descripción Detallada:

N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

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IXTY1R4N120P Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

Polar

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

-

vgs(th) (máx.) @ id

4.5V @ 100µA

Vgs (máx.)

±20V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

-

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-252AA

Paquete / Caja

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base

IXTY1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IXTY1R4N120P-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

70

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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