Número de Producto del Fabricante:
IXTH32N65X
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTH32N65X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
12821621
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ENVIAR
IXTH32N65X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Ultra X
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
135mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2205 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXTH32
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM60NB099PW C1G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
2055
NÚMERO DE PIEZA
TSM60NB099PW C1G-DG
PRECIO UNITARIO
4.18
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CANTIDAD DISPONIBLE
538
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PRECIO UNITARIO
2.59
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
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