Número de Producto del Fabricante:
IXTN120P20T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTN120P20T-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B
Descripción Detallada:
P-Channel 200 V 106A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
5 Pcs Nuevos Originales En Stock
12820527
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ENVIAR
IXTN120P20T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
TrenchP™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
106A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
740 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
73000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXTN120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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