Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Chile
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Chile
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IXFH16N60P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH16N60P3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12820530
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFH16N60P3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
470mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
347W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH16
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IXFH16N60P3
Hoja de datos HTML
IXFH16N60P3-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
-IXFH16N60P3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFPC50APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
4648
NÚMERO DE PIEZA
IRFPC50APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SPW11N80C3FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2520
NÚMERO DE PIEZA
SPW11N80C3FKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
IXTT50P10
MOSFET P-CH 100V 50A TO268
IXKP20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
IXKT70N60C5-TRL
MOSFET P-CH 600V 68A TO-268