IRF6795MTRPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRF6795MTRPBF

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

Número de pieza:

IRF6795MTRPBF-DG

Descripción:

IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventario:

31207 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947245
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRF6795MTRPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Ta), 160A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4280 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
267
Otros nombres
2156-IRF6795MTRPBF
INFINFIRF6795MTRPBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
nxp-semiconductors

PMPB33XP,115

NOW NEXPERIA PMPB33XP - 5.5A, 20

fairchild-semiconductor

HUFA75307T3ST

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQPF11N50CF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8878

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3