Número de Producto del Fabricante:
HUFA75307T3ST
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
HUFA75307T3ST-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 2.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventario:
25068 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947261
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ENVIAR
HUFA75307T3ST Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
HUFA75307
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,210
Otros nombres
FAIFSCHUFA75307T3ST
2156-HUFA75307T3ST
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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