Número de Producto del Fabricante:
AUIRFU8401
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
AUIRFU8401-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 79W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
8142 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946210
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
AUIRFU8401 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.25mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
457
Otros nombres
INFIRFAUIRFU8401
2156-AUIRFU8401
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FCP9N60N
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
FDMC0202S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
2SJ356(0)-T1-AY
2SJ356 - SIGNAL DEVICE
