FDMC0202S
Número de Producto del Fabricante:

FDMC0202S

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDMC0202S-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 22.5A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)

Inventario:

15629 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946220
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FDMC0202S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.15mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2705 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.3W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDMC0202S Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
1,210
Otros nombres
2156-FDMC0202S
FAIFSCFDMC0202S

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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