Número de Producto del Fabricante:
SPB80N03S203GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPB80N03S203GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12807946
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ENVIAR
SPB80N03S203GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7020 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SPB80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SPB80N03S203GXT
SPB80N03S203GATMA1TR
SPB80N03S2-03 G
SP000200139
2156-SPB80N03S203GATMA1
SPB80N03S2-03 G-DG
INFINFSPB80N03S203GATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN4R3-30BL,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
9945
NÚMERO DE PIEZA
PSMN4R3-30BL,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
PSMN3R4-30BL,118
FABRICANTE
NXP USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
900
NÚMERO DE PIEZA
PSMN3R4-30BL,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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LOW POWER_LEGACY
