Número de Producto del Fabricante:
SPP18P06PHKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPP18P06PHKSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12807959
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ENVIAR
SPP18P06PHKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
81.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SPP18P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SPP18P06PIN-NDR
SP000012300
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN-DG
SPP18P06PIN-DG
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PX
SPP18P06P
SPP18P06PIN
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPP18P06PHXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
711
NÚMERO DE PIEZA
SPP18P06PHXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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