Número de Producto del Fabricante:
IRFR3410TRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFR3410TRLPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventario:
11375 Pcs Nuevos Originales En Stock
12808892
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ENVIAR
IRFR3410TRLPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1690 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IRFR3410
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP001572792
IRFR3410TRLPBFDKR
IRFR3410TRLPBFTR
IRFR3410TRLPBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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