LSIC1MO120E0120
Número de Producto del Fabricante:

LSIC1MO120E0120

Product Overview

Fabricante:

Littelfuse Inc.

Número de pieza:

LSIC1MO120E0120-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventario:

856 Pcs Nuevos Originales En Stock
12808943
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LSIC1MO120E0120 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 14A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1125 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
LSIC1MO120

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
F11004
-LSIC1MO120E0120

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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