Número de Producto del Fabricante:
IRF7905PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7905PBF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 7.8A, 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Inventario:
12804263
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IRF7905PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.8A, 8.9A
rds activados (máx.) @ id, vgs
21.8mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.25V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600pF @ 15V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF7905
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
95
Otros nombres
SP001560078
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSO220N03MDGXUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
15156
NÚMERO DE PIEZA
BSO220N03MDGXUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SI4816BDY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SI4816BDY-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SH8KA4TB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
41573
NÚMERO DE PIEZA
SH8KA4TB-DG
PRECIO UNITARIO
0.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SH8K4TB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2436
NÚMERO DE PIEZA
SH8K4TB1-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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