Número de Producto del Fabricante:
IRF7338PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7338PBF-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventario:
12804266
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ENVIAR
IRF7338PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.3A, 3A
rds activados (máx.) @ id, vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
640pF @ 9V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF733
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
95
Otros nombres
SP001565278
*IRF7338PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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