Número de Producto del Fabricante:
IRF7665S2TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7665S2TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Inventario:
12806117
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ENVIAR
IRF7665S2TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
62mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
515 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET SB
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric SB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
IRF7665S2TRPBFDKR
IRF7665S2TRPBFTR
SP001570544
IRF7665S2TRPBFCT
IRF7665S2TRPBF-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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