Número de Producto del Fabricante:
IRFHS8342TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFHS8342TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventario:
11868 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806118
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFHS8342TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paquete / Caja
6-PowerVDFN
Número de producto base
IRFHS8342
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001556608
IRFHS8342TRPBFTR
IRFHS8342TRPBFDKR
IRFHS8342TRPBFCT
IRFHS8342TRPBF-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF1404ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
SIPC06N60C3
MOSFET COOL MOS 600V SAWED WAFER
IRLR7833TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
