Número de Producto del Fabricante:
IQE046N08LM5CGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQE046N08LM5CGATMA1-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 15.6A (Ta), 99A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-3
Inventario:
4990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991536
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ENVIAR
IQE046N08LM5CGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15.6A (Ta), 99A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 47µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3250 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TTFN-9-3
Paquete / Caja
9-PowerTDFN
Número de producto base
IQE046
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQE046N08LM5CGATMA1TR
448-IQE046N08LM5CGATMA1CT
448-IQE046N08LM5CGATMA1DKR
SP005633163
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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