Número de Producto del Fabricante:
IAUTN12S5N018GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUTN12S5N018GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET_(120V 300V)
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V Surface Mount PG-HSOG-8-1
Inventario:
1764 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991539
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ENVIAR
IAUTN12S5N018GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOG-8-1
Paquete / Caja
8-PowerSMD, Gull Wing
Información Adicional
Paquete Estándar
1,800
Otros nombres
448-IAUTN12S5N018GATMA1CT
SP005629905
448-IAUTN12S5N018GATMA1TR
448-IAUTN12S5N018GATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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TRENCH <= 40V
