Número de Producto del Fabricante:
IPU60R2K1CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU60R2K1CEAKMA1-DG
Descripción:
CONSUMER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12805137
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ENVIAR
IPU60R2K1CEAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU60R2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
2156-IPU60R2K1CEAKMA1
SP001493880
INFINFIPU60R2K1CEAKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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