Número de Producto del Fabricante:
IRFU5410PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFU5410PBF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventario:
1597 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805139
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ENVIAR
IRFU5410PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
205mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK (TO-251AA)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IRFU5410
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
*IRFU5410PBF
SP001557796
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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