Número de Producto del Fabricante:
IPP093N06N3GHKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP093N06N3GHKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12804335
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP093N06N3GHKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 34µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP093N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP000398048
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF7493PBF
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
IRFP3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC
IRFB52N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB