IRFP3415PBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFP3415PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFP3415PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventario:

3483 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804338
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFP3415PBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
42mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IRFP3415

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
25
Otros nombres
SP001566972
*IRFP3415PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRFB52N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB

infineon-technologies

IRF6215PBF

MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB

infineon-technologies

IPD25DP06LMATMA1

MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

infineon-technologies

IPD06P004NSAUMA1

MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252