Número de Producto del Fabricante:
IPP039N10N5XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP039N10N5XKSA1-DG
Descripción:
MV POWER MOS
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12992501
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ENVIAR
IPP039N10N5XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 125µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
448-IPP039N10N5XKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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