Número de Producto del Fabricante:
GT110N06D5
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT110N06D5-DG
Descripción:
N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventario:
9996 Pcs Nuevos Originales En Stock
12992524
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
GT110N06D5 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
GT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1202 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (4.9x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3141-GT110N06D5CT
3141-GT110N06D5TR
3141-GT110N06D5DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
Productos relacionados
MCU20N06B-TP
MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 20A 4.1N
TPHR9003NL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
SI2324-TP
MOSFET N-CH ENH FET 100VDS 2A 8A
